0 0 0
  8. FQT2P25TF

Транзисторы с каналом P SMD FQT2P25TF

 
FQT2P25TF
 
ONSEMI
Артикул: 526665
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,35А; Idm: -2,2А; 2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.34 грн
5+
59.17 грн
25+
44.73 грн
28+
35.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
-250В(1441462)
Ток стока
-0,35А(1643123)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,5нC(1479414)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-2,2А(1888065)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FQT2P25TF
ONSEMI
Артикул: 526665
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,35А; Idm: -2,2А; 2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.34 грн
5+
59.17 грн
25+
44.73 грн
28+
35.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
-250В
Ток стока
-0,35А
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-2,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g