0 0 0
  8. FQT4N20LTF

Транзисторы с каналом N SMD FQT4N20LTF

 
FQT4N20LTF
 
ONSEMI
Артикул: 985308
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
41.50 грн
25+
37.18 грн
35+
28.44 грн
96+
26.90 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 3471 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
0,68А(1632952)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,2Вт(1449547)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,2нC(1634355)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,151 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQT4N20LTF
ONSEMI
Артикул: 985308
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
41.50 грн
25+
37.18 грн
35+
28.44 грн
96+
26.90 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 3471 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
0,68А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,2нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,151 g