0 0 0
  8. FQT4N25TF

Транзисторы с каналом N SMD FQT4N25TF

 
FQT4N25TF
 
ONSEMI
Артикул: 526666
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.07 грн
5+
38.45 грн
25+
29.08 грн
43+
23.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
0,66А(1702148)
Сопротивление в открытом состоянии
1,75Ом(1744086)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,6нC(1609796)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
3,3А(1888043)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQT4N25TF
ONSEMI
Артикул: 526666
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.07 грн
5+
38.45 грн
25+
29.08 грн
43+
23.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
0,66А
Сопротивление в открытом состоянии
1,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
3,3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g