0 0 0
  8. FQT5P10TF

Транзисторы с каналом P SMD FQT5P10TF

 
FQT5P10TF
 
ONSEMI
Артикул: 140711
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,8А; 2Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
39.08 грн
25+
36.37 грн
37+
27.04 грн
100+
25.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-0,8А(1643136)
Сопротивление в открытом состоянии
1,05Ом(1441606)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,2нC(1610008)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,144 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FQT5P10TF
ONSEMI
Артикул: 140711
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,8А; 2Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
39.08 грн
25+
36.37 грн
37+
27.04 грн
100+
25.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-0,8А
Сопротивление в открытом состоянии
1,05Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,2нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,144 g