Транзисторы с каналом N THT HUF75639P3

 
HUF75639P3
 
Артикул: 078181
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
176.21 грн
3+
159.21 грн
9+
121.34 грн
23+
114.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 79 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
56А(1479382)
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм(1441552)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
200Вт(1701925)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
130нC(1479431)
Технология
UltraFET®(1632967)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,01 g
 
Транзисторы с каналом N THT HUF75639P3
ONSEMI
Артикул: 078181
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
176.21 грн
3+
159.21 грн
9+
121.34 грн
23+
114.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 79 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
56А
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
200Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
130нC
Технология
UltraFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,01 g