0 0 0
  8. HUF75639S3ST

Транзисторы с каналом N SMD HUF75639S3ST

 
HUF75639S3ST
 
ONSEMI
Артикул: 076129
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
165.41 грн
5+
149.10 грн
9+
114.93 грн
24+
108.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
56А(1479382)
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм(1441552)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
200Вт(1701925)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
130нC(1479431)
Технология
UltraFET®(1632967)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,664 g
 
Транзисторы с каналом N SMD HUF75639S3ST
ONSEMI
Артикул: 076129
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
165.41 грн
5+
149.10 грн
9+
114.93 грн
24+
108.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
56А
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
200Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
130нC
Технология
UltraFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,664 g