Транзисторы с каналом N THT HUF75652G3

 
HUF75652G3
 
Артикул: 078183
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 75А; 515Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
866.83 грн
2+
661.24 грн
3+
660.44 грн
5+
624.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
75А(1441317)
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
515Вт(1741899)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
475нC(1634350)
Технология
UltraFET®(1632967)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,983 g
 
Транзисторы с каналом N THT HUF75652G3
ONSEMI
Артикул: 078183
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 75А; 515Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
866.83 грн
2+
661.24 грн
3+
660.44 грн
5+
624.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
75А
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
515Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
475нC
Технология
UltraFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,983 g