0 0 0
  8. MJ11016G

Транзисторы Дарлингтона NPN THT MJ11016G

 
MJ11016G
 
ONSEMI
Артикул: 220367
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 120В; 30А; 200Вт; TO3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
624.71 грн
2+
497.07 грн
6+
470.12 грн
100+
462.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 97 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3(1440918)
Напряжение коллектор-эмиттер
120В(1440793)
Ток коллектора
30А(1440984)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
200Вт(1701925)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
лоток(1479868)
Вид транзистора
Дарлингтон(1441015)
Дополнительная информация: Масса брутто: 11,86 g
 
Транзисторы Дарлингтона NPN THT MJ11016G
ONSEMI
Артикул: 220367
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 120В; 30А; 200Вт; TO3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
624.71 грн
2+
497.07 грн
6+
470.12 грн
100+
462.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 97 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3
Напряжение коллектор-эмиттер
120В
Ток коллектора
30А
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
200Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
лоток
Вид транзистора
Дарлингтон
Дополнительная информация: Масса брутто: 11,86 g