0 0 0
  8. MJD112G

Транзисторы Дарлингтона NPN SMD MJD112G

 
MJD112G
 
ONSEMI
Артикул: 842235
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 2А; 1,75Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
32.46 грн
25+
29.14 грн
45+
22.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 105 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение коллектор-эмиттер
100В(1440881)
Коэффициент усиления по току
100...12000(1715143)
Ток коллектора
2А(1440893)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
1,75Вт(1702246)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид транзистора
Дарлингтон(1441015)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,325 g
 
Транзисторы Дарлингтона NPN SMD MJD112G
ONSEMI
Артикул: 842235
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 2А; 1,75Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
32.46 грн
25+
29.14 грн
45+
22.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 105 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение коллектор-эмиттер
100В
Коэффициент усиления по току
100...12000
Ток коллектора
2А
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
1,75Вт
Полярность
биполярный
Вид транзистора
Дарлингтон
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,325 g