0 0 0
  8. MMBTA13LT1G

Транзисторы Дарлингтона NPN SMD MMBTA13LT1G

 
MMBTA13LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 220297
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 30В; 0,3А; 0,225Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.83 грн
100+
2.56 грн
250+
2.26 грн
515+
1.96 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 70 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Частота
125МГц(1587733)
Напряжение коллектор-эмиттер
30В(1440774)
Ток коллектора
0,3А(1702092)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
0,225Вт(1707091)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
Дарлингтон(1441015)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы Дарлингтона NPN SMD MMBTA13LT1G
ONSEMI
Артикул: 220297
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 30В; 0,3А; 0,225Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.83 грн
100+
2.56 грн
250+
2.26 грн
515+
1.96 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 70 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Частота
125МГц
Напряжение коллектор-эмиттер
30В
Ток коллектора
0,3А
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
0,225Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
Дарлингтон
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g