0 0 0
  8. MMBTH10LT1G

Транзисторы NPN SMD MMBTH10LT1G

 
MMBTH10LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 466316
Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 225/300мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.05 грн
100+
3.54 грн
367+
2.72 грн
1010+
2.57 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  1
Колличество: 2910 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Частота
650МГц(1838827)
Напряжение коллектор-эмиттер
25В(1440772)
Коэффициент усиления по току
60...240(1776502)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
0,225/0,3Вт(1898256)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
RF(1645036)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы NPN SMD MMBTH10LT1G
ONSEMI
Артикул: 466316
Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 225/300мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.05 грн
100+
3.54 грн
367+
2.72 грн
1010+
2.57 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  1
Колличество: 2910 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Частота
650МГц
Напряжение коллектор-эмиттер
25В
Коэффициент усиления по току
60...240
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
0,225/0,3Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
RF
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g