0 0 0
  7. MMBZ15VDLT1G

Диоды защитные - сборки MMBZ15VDLT1G

 
MMBZ15VDLT1G
 
ONSEMI
Артикул: 984110
Диод: TVS, сборка; 15В; 1,9А; 40Вт; двойной,общий катод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
8.16 грн
50+
3.44 грн
250+
3.09 грн
425+
2.39 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
12,8В(1440402)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий катод(1497057)
Импульсный ток
1,9А(1501457)
Напряжение пробоя
15В(1440403)
Ток утечки
0,1мкА(1615249)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
40Вт(1911820)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Диоды защитные - сборки MMBZ15VDLT1G
ONSEMI
Артикул: 984110
Диод: TVS, сборка; 15В; 1,9А; 40Вт; двойной,общий катод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
8.16 грн
50+
3.44 грн
250+
3.09 грн
425+
2.39 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
12,8В
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий катод
Импульсный ток
1,9А
Напряжение пробоя
15В
Ток утечки
0,1мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
40Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g