0 0 0
  7. MMBZ18VALT1G

Диоды защитные - сборки MMBZ18VALT1G

 
MMBZ18VALT1G
 
ONSEMI
Артикул: 213938
Диод: TVS, сборка; 18В; 1,6А; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23; ±5%
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.36 грн
50+
2.67 грн
500+
2.40 грн
530+
1.84 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 4890 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
14,5В(1619358)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий анод(1440273)
Импульсный ток
1,6А(1501545)
Напряжение пробоя
18В(1440407)
Ток утечки
50нА(1613685)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
40Вт(1911820)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Диоды защитные - сборки MMBZ18VALT1G
ONSEMI
Артикул: 213938
Диод: TVS, сборка; 18В; 1,6А; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23; ±5%
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.36 грн
50+
2.67 грн
500+
2.40 грн
530+
1.84 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 4890 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
14,5В
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий анод
Импульсный ток
1,6А
Напряжение пробоя
18В
Ток утечки
50нА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
40Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g