0 0 0
  7. MMBZ27VALT1G

Диоды защитные - сборки MMBZ27VALT1G

 
MMBZ27VALT1G
 
ONSEMI
Артикул: 213940
Диод: TVS, сборка; 27В; 1А; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23; ±5%
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
3.45 грн
100+
3.11 грн
420+
2.39 грн
1145+
2.26 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 1540 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
22В(1440563)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий анод(1440273)
Импульсный ток
1А(1440649)
Напряжение пробоя
27В(1440410)
Ток утечки
50нА(1613685)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
40Вт(1911820)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Диоды защитные - сборки MMBZ27VALT1G
ONSEMI
Артикул: 213940
Диод: TVS, сборка; 27В; 1А; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23; ±5%
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
3.45 грн
100+
3.11 грн
420+
2.39 грн
1145+
2.26 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 1540 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
22В
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий анод
Импульсный ток
1А
Напряжение пробоя
27В
Ток утечки
50нА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
40Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g