0 0 0
  7. MMBZ33VALT1G

Диоды защитные - сборки MMBZ33VALT1G

 
MMBZ33VALT1G
 
ONSEMI
Артикул: 213942
Диод: TVS, сборка; 33В; 0,87А; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.92 грн
100+
2.63 грн
495+
2.02 грн
1350+
1.91 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 1770 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
26В(1611238)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий анод(1440273)
Импульсный ток
0,87А(1698195)
Напряжение пробоя
33В(1440413)
Ток утечки
50нА(1613685)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
40Вт(1911820)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Диоды защитные - сборки MMBZ33VALT1G
ONSEMI
Артикул: 213942
Диод: TVS, сборка; 33В; 0,87А; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.92 грн
100+
2.63 грн
495+
2.02 грн
1350+
1.91 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 1770 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
26В
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий анод
Импульсный ток
0,87А
Напряжение пробоя
33В
Ток утечки
50нА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
40Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g