0 0 0
  7. MMBZ6V8ALT1G

Диоды защитные - сборки MMBZ6V8ALT1G

 
MMBZ6V8ALT1G
 
ONSEMI
Артикул: 213945
Диод: TVS, сборка; 6,8В; 2,5А; 24Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
14.78 грн
10+
12.75 грн
25+
8.93 грн
100+
7.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 350 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
4,5В(1698203)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий анод(1440273)
Импульсный ток
2,5А(1501395)
Напряжение пробоя
6,8В(1440418)
Ток утечки
0,5мкА(1607317)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
24Вт(1911821)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Диоды защитные - сборки MMBZ6V8ALT1G
ONSEMI
Артикул: 213945
Диод: TVS, сборка; 6,8В; 2,5А; 24Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
14.78 грн
10+
12.75 грн
25+
8.93 грн
100+
7.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 350 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
4,5В
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий анод
Импульсный ток
2,5А
Напряжение пробоя
6,8В
Ток утечки
0,5мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
24Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g