Транзисторы PNP SMD MUN5111DW1T1G

 
MUN5111DW1T1G
 
Артикул: 218636
Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,187Вт; R1: 10кОм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.39 грн
100+
3.68 грн
380+
2.60 грн
1040+
2.46 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2090 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение коллектор-эмиттер
50В(1440812)
Ток коллектора
0,1А(1702089)
Тип транзистора
PNP x2(1492063)
Рассеиваемая мощность
0,187Вт(1898259)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
BRT(1636499)
резистор базы
10кОм(1645075)
резистор эмиттер - база
10кОм(1645076)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы PNP SMD MUN5111DW1T1G
ONSEMI
Артикул: 218636
Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,187Вт; R1: 10кОм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.39 грн
100+
3.68 грн
380+
2.60 грн
1040+
2.46 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2090 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Ток коллектора
0,1А
Тип транзистора
PNP x2
Рассеиваемая мощность
0,187Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
BRT
резистор базы
10кОм
резистор эмиттер - база
10кОм
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g