0 0 0
  8. MUN5211T1G

Транзисторы NPN SMD MUN5211T1G

 
MUN5211T1G
 
ONSEMI
Артикул: 219439
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,31Вт; SC70,SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.64 грн
100+
2.36 грн
500+
2.07 грн
550+
1.88 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 11400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575) SOT323(1492062)
Напряжение коллектор-эмиттер
50В(1440812)
Коэффициент усиления по току
60(1441014)
Ток коллектора
0,1А(1702089)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
0,31Вт(1742047)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
BRT(1636499)
резистор базы
10кОм(1645075)
резистор эмиттер - база
10кОм(1645076)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы NPN SMD MUN5211T1G
ONSEMI
Артикул: 219439
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,31Вт; SC70,SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.64 грн
100+
2.36 грн
500+
2.07 грн
550+
1.88 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 11400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Корпус
SOT323
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Коэффициент усиления по току
60
Ток коллектора
0,1А
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
0,31Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
BRT
резистор базы
10кОм
резистор эмиттер - база
10кОм
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g