0 0 0
  8. MUN5235DW1T1G

Транзисторы NPN SMD MUN5235DW1T1G

 
MUN5235DW1T1G
 
ONSEMI
Артикул: 219443
Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,187Вт; R1: 2,2кОм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
3.40 грн
100+
3.08 грн
425+
2.37 грн
1165+
2.24 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение коллектор-эмиттер
50В(1440812)
Коэффициент усиления по току
140(1646392)
Ток коллектора
0,1А(1702089)
Тип транзистора
NPN x2(1492069)
Рассеиваемая мощность
0,187Вт(1898259)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
BRT(1636499)
резистор базы
2,2кОм(1645073)
резистор эмиттер - база
47кОм(1645074)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы NPN SMD MUN5235DW1T1G
ONSEMI
Артикул: 219443
Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,187Вт; R1: 2,2кОм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
3.40 грн
100+
3.08 грн
425+
2.37 грн
1165+
2.24 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Коэффициент усиления по току
140
Ток коллектора
0,1А
Тип транзистора
NPN x2
Рассеиваемая мощность
0,187Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
BRT
резистор базы
2,2кОм
резистор эмиттер - база
47кОм
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g