0 0 0
  7. NCP5109ADR2G

Драйверы MOSFET/IGBT NCP5109ADR2G

 
NCP5109ADR2G
 
ONSEMI
Артикул: 694110
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.24 грн
5+
61.05 грн
20+
51.47 грн
53+
48.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
10...20В DC(1492932)
Выходной ток
-500...250мА(1743468)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
160нс(1802395)
Время падения импульса
75нс(1443722)
Вид микросхемы
high-side(1492961) low-side(1605680) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559) полумост IGBT(1612529)
Класс напряжения
200В(1711087)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT NCP5109ADR2G
ONSEMI
Артикул: 694110
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.24 грн
5+
61.05 грн
20+
51.47 грн
53+
48.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
10...20В DC
Выходной ток
-500...250мА
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
160нс
Время падения импульса
75нс
Вид микросхемы
high-side
Вид микросхемы
low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Топология
полумост IGBT
Класс напряжения
200В
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g