0 0 0
  7. NCP5111DR2G

Драйверы MOSFET/IGBT NCP5111DR2G

 
NCP5111DR2G
 
ONSEMI
Артикул: 536732
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.47 грн
5+
75.74 грн
18+
57.96 грн
47+
54.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
10...20В DC(1492932)
Выходной ток
-500...250мА(1743468)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
160нс(1802395)
Время падения импульса
75нс(1443722)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Защита
от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559) полумост IGBT(1612529)
Класс напряжения
600В(1711085)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT NCP5111DR2G
ONSEMI
Артикул: 536732
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.47 грн
5+
75.74 грн
18+
57.96 грн
47+
54.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
10...20В DC
Выходной ток
-500...250мА
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
160нс
Время падения импульса
75нс
Кол-во каналов
2
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Топология
полумост IGBT
Класс напряжения
600В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g