0 0 0
  7. NCP51561BADWR2G

Драйверы MOSFET/IGBT NCP51561BADWR2G

 
NCP51561BADWR2G
 
ONSEMI
Артикул: 670056
IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
285.77 грн
5+
216.47 грн
13+
204.67 грн
100+
204.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO16(1443889)
Напряжение питания
3...5В DC(1474021) 9,5...30В DC(1454611)
Выходной ток
-9...4,5А(1918394)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
19нс(1444006)
Время падения импульса
19нс(1918400)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид микросхемы
high-side(1492961) low-side(1605680) контроллер затвора(1617856)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT NCP51561BADWR2G
ONSEMI
Артикул: 670056
IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
285.77 грн
5+
216.47 грн
13+
204.67 грн
100+
204.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO16
Напряжение питания
3...5В DC
Напряжение питания
9,5...30В DC
Выходной ток
-9...4,5А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
19нс
Время падения импульса
19нс
Кол-во каналов
2
Вид микросхемы
high-side
Вид микросхемы
low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g