ONSEMI
Артикул:
392508
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
Мин. заказ: 1
Кратность: 1
Колличество: 1879 шт.
Срок поставки:
2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Рабочая температура
-40...125°C
Напряжение питания
10...20В DC
Время нарастания импульса
60нс
Время падения импульса
40нс
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,14 g