0 0 0
  7. NCP81080DR2G

Драйверы MOSFET/IGBT NCP81080DR2G

 
NCP81080DR2G
 
ONSEMI
Артикул: 670068
IC: driver; полумост MOSFET; high-side,контроллер затвора; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
93.71 грн
5+
84.18 грн
15+
65.87 грн
42+
62.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 815 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...140°C(1820038)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
5,5...20В DC(1590135)
Выходной ток
-800...500мА(1918399)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
19нс(1444006)
Время падения импульса
17нс(1444015)
Вид микросхемы
high-side(1492961) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,119 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT NCP81080DR2G
ONSEMI
Артикул: 670068
IC: driver; полумост MOSFET; high-side,контроллер затвора; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
93.71 грн
5+
84.18 грн
15+
65.87 грн
42+
62.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 815 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...140°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
5,5...20В DC
Выходной ток
-800...500мА
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
19нс
Время падения импульса
17нс
Вид микросхемы
high-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,119 g