0 0 0
  8. NCS20072DR2G

Операционные усилители SMD NCS20072DR2G

 
NCS20072DR2G
 
ONSEMI
Артикул: 532059
IC: операционный усилитель; 3МГц; Ch: 2; SO8; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.91 грн
5+
46.21 грн
25+
40.47 грн
29+
34.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2494 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMT(1452498)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Тип микросхемы
операционный усилитель(1444060)
Кол-во каналов
2(1443907)
Полоса передаваемых частот
3МГц(1444137)
Входное напряжение смещения
4мВ(1521726)
Характеристики интегральных схем
rail-to-rail output(1521680)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Скорость нарастания напряжения
2,8В/мкс(1494528)
Voltage supply range
± 1,35...18В DC(1843649) 2,7...36В DC(1902351)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Операционные усилители SMD NCS20072DR2G
ONSEMI
Артикул: 532059
IC: операционный усилитель; 3МГц; Ch: 2; SO8; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.91 грн
5+
46.21 грн
25+
40.47 грн
29+
34.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2494 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMT
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Тип микросхемы
операционный усилитель
Кол-во каналов
2
Полоса передаваемых частот
3МГц
Входное напряжение смещения
4мВ
Характеристики интегральных схем
rail-to-rail output
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Скорость нарастания напряжения
2,8В/мкс
Voltage supply range
± 1,35...18В DC
Voltage supply range
2,7...36В DC
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g