0 0 0
  7. NCV431BVDR2G

Источники напряжения отнесения-микросх. NCV431BVDR2G

 
NCV431BVDR2G
 
ONSEMI
Артикул: 658110
IC: источник опорного напряжения; 2,495В; ±0,4%; SO8; 100мА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.21 грн
5+
35.73 грн
25+
31.42 грн
36+
28.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Погрешность
±0.4%(1819369)
Рабочее напряжение
2,495...36В(1717779)
Тип микросхемы
источник опорного напряжения(1443651)
Опорное напряжение
2,495В(1636972)
Применение
automotive industry(1821825)
Ток выхода макс.
0,1А(1595097)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Источники напряжения отнесения-микросх. NCV431BVDR2G
ONSEMI
Артикул: 658110
IC: источник опорного напряжения; 2,495В; ±0,4%; SO8; 100мА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.21 грн
5+
35.73 грн
25+
31.42 грн
36+
28.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Погрешность
±0.4%
Рабочее напряжение
2,495...36В
Тип микросхемы
источник опорного напряжения
Опорное напряжение
2,495В
Применение
automotive industry
Ток выхода макс.
0,1А
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g