0 0 0
  8. NGTB25N120FL2WG

Транзисторы IGBT THT NGTB25N120FL2WG

 
NGTB25N120FL2WG
 
ONSEMI
Артикул: 221335
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 192Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
473.47 грн
3+
356.29 грн
8+
337.29 грн
10+
336.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
25А(1440980)
Ток коллектора в импульсе
100А(1441718)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
192Вт(1740762)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848) integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
178нC(1714011)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,125 g
 
Транзисторы IGBT THT NGTB25N120FL2WG
ONSEMI
Артикул: 221335
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 192Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
473.47 грн
3+
356.29 грн
8+
337.29 грн
10+
336.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
100А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
192Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
178нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,125 g