0 0 0
  8. NTA4153NT1G

Транзисторы с каналом N SMD NTA4153NT1G

 
NTA4153NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 077283
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.78 грн
50+
6.99 грн
180+
5.71 грн
490+
5.40 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 4340 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC75(1501045)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,915А(1702225)
Сопротивление в открытом состоянии
0,95Ом(1492414)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,82нC(1636468)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTA4153NT1G
ONSEMI
Артикул: 077283
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.78 грн
50+
6.99 грн
180+
5.71 грн
490+
5.40 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 4340 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC75
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,915А
Сопротивление в открытом состоянии
0,95Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,82нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g