0 0 0
  8. NTD14N03RT4G

Транзисторы с каналом N SMD NTD14N03RT4G

 
NTD14N03RT4G
 
ONSEMI
Артикул: 542216
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 2,5А; Idm: 28А; 20,8Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.05 грн
10+
76.74 грн
17+
58.65 грн
47+
55.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
2,5А(1441399)
Сопротивление в открытом состоянии
0,117Ом(1492483)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
20,8Вт(1741969)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,8нC(1633317)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
28А(1801403)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTD14N03RT4G
ONSEMI
Артикул: 542216
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 2,5А; Idm: 28А; 20,8Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.05 грн
10+
76.74 грн
17+
58.65 грн
47+
55.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,117Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g