0 0 0
  8. NTD360N65S3H

Транзисторы с каналом N SMD NTD360N65S3H

 
NTD360N65S3H
 
ONSEMI
Артикул: 542218
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 28А; 83Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
116.69 грн
5+
104.78 грн
13+
83.57 грн
34+
79.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
296мОм(1905989)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
83Вт(1702256)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17,5нC(1633655)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
28А(1801403)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTD360N65S3H
ONSEMI
Артикул: 542218
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 28А; 83Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
116.69 грн
5+
104.78 грн
13+
83.57 грн
34+
79.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
296мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g