0 0 0
  8. NTD360N80S3Z

Транзисторы с каналом N SMD NTD360N80S3Z

 
NTD360N80S3Z
 
ONSEMI
Артикул: 542219
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,2А; Idm: 32,5А; 96Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
170.03 грн
5+
154.14 грн
9+
122.79 грн
23+
116.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
8,2А(1492461)
Сопротивление в открытом состоянии
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
96Вт(1740786)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25,3нC(1479076)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32,5А(1905990)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTD360N80S3Z
ONSEMI
Артикул: 542219
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,2А; Idm: 32,5А; 96Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
170.03 грн
5+
154.14 грн
9+
122.79 грн
23+
116.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
8,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g