0 0 0
  8. NTD5C434NT4G

Транзисторы с каналом N SMD NTD5C434NT4G

 
NTD5C434NT4G
 
ONSEMI
Артикул: 542226
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 23А; Idm: 900А; 2,4Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
596.92 грн
3+
427.92 грн
7+
404.66 грн
500+
397.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
23А(1479277)
Сопротивление в открытом состоянии
1,7мОм(1479605)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,4Вт(1507584)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
80,6нC(1930649)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
900А(1714537)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTD5C434NT4G
ONSEMI
Артикул: 542226
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 23А; Idm: 900А; 2,4Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
596.92 грн
3+
427.92 грн
7+
404.66 грн
500+
397.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
23А
Сопротивление в открытом состоянии
1,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
80,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
900А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g