0 0 0
  8. NTD5C648NLT4G

Транзисторы с каналом N SMD NTD5C648NLT4G

 
NTD5C648NLT4G
 
ONSEMI
Артикул: 542228
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; Idm: 550А; 2,2Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
333.34 грн
5+
239.14 грн
12+
226.10 грн
500+
222.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм(1478952)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,2Вт(1449547)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
550А(1758584)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTD5C648NLT4G
ONSEMI
Артикул: 542228
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; Idm: 550А; 2,2Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
333.34 грн
5+
239.14 грн
12+
226.10 грн
500+
222.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
550А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g