0 0 0
  8. NTF3055L108T1G

Транзисторы с каналом N SMD NTF3055L108T1G

 
NTF3055L108T1G
 
ONSEMI
Артикул: 532138
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.03 грн
5+
43.10 грн
25+
38.82 грн
33+
30.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
1,4А(1492328)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,3Вт(1449369)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9А(1790201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,165 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTF3055L108T1G
ONSEMI
Артикул: 532138
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.03 грн
5+
43.10 грн
25+
38.82 грн
33+
30.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
1,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,165 g