0 0 0
  7. NTGD4167CT1G

Транзисторы многоканальные NTGD4167CT1G

 
NTGD4167CT1G
 
ONSEMI
Артикул: 389898
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.15 грн
25+
22.37 грн
59+
17.10 грн
162+
16.16 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
1,9/-1,4А(1805256)
Сопротивление в открытом состоянии
90/170мОм(1805257)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,9Вт(1742026)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные NTGD4167CT1G
ONSEMI
Артикул: 389898
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.15 грн
25+
22.37 грн
59+
17.10 грн
162+
16.16 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
1,9/-1,4А
Сопротивление в открытом состоянии
90/170мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g