0 0 0
  8. NTGS3130NT1G

Транзисторы с каналом N SMD NTGS3130NT1G

 
NTGS3130NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 542236
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; Idm: 19А; 600мВт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.18 грн
5+
42.59 грн
25+
38.30 грн
33+
30.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
4,1А(1441393)
Сопротивление в открытом состоянии
19Ом(1502502)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,6Вт(1507580)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13,2нC(1609924)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
19А(1800734)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTGS3130NT1G
ONSEMI
Артикул: 542236
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; Idm: 19А; 600мВт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.18 грн
5+
42.59 грн
25+
38.30 грн
33+
30.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
4,1А
Сопротивление в открытом состоянии
19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
19А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g