0 0 0
  8. NTGS3136PT1G

Транзисторы с каналом P SMD NTGS3136PT1G

 
NTGS3136PT1G
 
ONSEMI
Артикул: 622820
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.01 грн
5+
48.15 грн
25+
43.22 грн
30+
34.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,6А(1479071)
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм(1441272)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,7Вт(1507581)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NTGS3136PT1G
ONSEMI
Артикул: 622820
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.01 грн
5+
48.15 грн
25+
43.22 грн
30+
34.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,6А
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g