0 0 0
  8. NTGS3433T1G

Транзисторы с каналом P SMD NTGS3433T1G

 
NTGS3433T1G
 
ONSEMI
Артикул: 622809
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.38 грн
5+
30.83 грн
25+
27.73 грн
45+
22.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-2,35А(1805258)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7нC(1479104)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-14А(1741668)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NTGS3433T1G
ONSEMI
Артикул: 622809
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.38 грн
5+
30.83 грн
25+
27.73 грн
45+
22.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-2,35А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-14А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g