0 0 0
  8. NTH027N65S3F-F155

Транзисторы с каналом N THT NTH027N65S3F-F155

 
NTH027N65S3F-F155
 
ONSEMI
Артикул: 542360
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 60А; Idm: 187,5А; 595Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 172.66 грн
2+
843.68 грн
4+
797.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
23мОм(1441493)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
595Вт(1741809)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
259нC(1905999)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
187,5А(1790441)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT NTH027N65S3F-F155
ONSEMI
Артикул: 542360
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 60А; Idm: 187,5А; 595Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 172.66 грн
2+
843.68 грн
4+
797.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
23мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
595Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
259нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
187,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g