0 0 0
  8. NTH4L080N120SC1

Транзисторы с каналом N THT NTH4L080N120SC1

 
NTH4L080N120SC1
 
ONSEMI
Артикул: 437044
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 126.11 грн
2+
906.92 грн
3+
856.89 грн
30+
834.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 10 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
28Вт(1520807)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-15...25В(1981521)
Ток стока в импульсном режиме
125А(1823311)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,42 g
 
Транзисторы с каналом N THT NTH4L080N120SC1
ONSEMI
Артикул: 437044
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 126.11 грн
2+
906.92 грн
3+
856.89 грн
30+
834.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 10 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
28Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
56нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-15...25В
Ток стока в импульсном режиме
125А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,42 g