0 0 0
  8. NTH4L160N120SC1

Транзисторы с каналом N THT NTH4L160N120SC1

 
NTH4L160N120SC1
 
ONSEMI
Артикул: 437045
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12,3А; Idm: 69А; 55,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
923.98 грн
2+
754.90 грн
4+
713.63 грн
30+
686.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
12,3А(1628416)
Сопротивление в открытом состоянии
224мОм(1823312)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
55,5Вт(1742471)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-15...25В(1981521)
Ток стока в импульсном режиме
69А(1790437)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT NTH4L160N120SC1
ONSEMI
Артикул: 437045
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12,3А; Idm: 69А; 55,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
923.98 грн
2+
754.90 грн
4+
713.63 грн
30+
686.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
12,3А
Сопротивление в открытом состоянии
224мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
55,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
34нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-15...25В
Ток стока в импульсном режиме
69А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g