0 0 0
  8. NTHD3101FT1G

Транзисторы с каналом P SMD NTHD3101FT1G

 
NTHD3101FT1G
 
ONSEMI
Артикул: 622775
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.52 грн
5+
44.14 грн
25+
39.75 грн
32+
31.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
-2,3А(1479077)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky(1667411)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,4нC(1479204)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-13А(1810551)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NTHD3101FT1G
ONSEMI
Артикул: 622775
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.52 грн
5+
44.14 грн
25+
39.75 грн
32+
31.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
-2,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-13А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g