0 0 0
  7. NTHD4502NT1G

Транзисторы многоканальные NTHD4502NT1G

 
NTHD4502NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 542214
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2/2,9А; Idm: 16÷12,6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.45 грн
5+
66.96 грн
22+
47.80 грн
58+
45.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
2,2/2,9А(1906004)
Сопротивление в открытом состоянии
37/83мОм(1906002)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,6Вт(1507580)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,8/6,6нC(1906003)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16...12,6А(1906005)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные NTHD4502NT1G
ONSEMI
Артикул: 542214
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2/2,9А; Idm: 16÷12,6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.45 грн
5+
66.96 грн
22+
47.80 грн
58+
45.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
2,2/2,9А
Сопротивление в открытом состоянии
37/83мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,8/6,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16...12,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g