0 0 0
  7. NTHD4508NT1G

Транзисторы многоканальные NTHD4508NT1G

 
NTHD4508NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 542215
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.03 грн
5+
46.50 грн
25+
41.65 грн
31+
33.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
2,2А(1501033)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,59Вт(1811173)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,6нC(1479095)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные NTHD4508NT1G
ONSEMI
Артикул: 542215
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.03 грн
5+
46.50 грн
25+
41.65 грн
31+
33.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,59Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g