0 0 0
  8. NTHL060N090SC1

Транзисторы с каналом N THT NTHL060N090SC1

 
NTHL060N090SC1
 
ONSEMI
Артикул: 436996
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 32А; Idm: 184А; 110Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
968.82 грн
2+
788.59 грн
4+
745.31 грн
30+
717.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
32А(1441566)
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм(1441262)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
87нC(1478994)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-10...20В(1981142)
Ток стока в импульсном режиме
184А(1812415)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT NTHL060N090SC1
ONSEMI
Артикул: 436996
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 32А; Idm: 184А; 110Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
968.82 грн
2+
788.59 грн
4+
745.31 грн
30+
717.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
32А
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
87нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-10...20В
Ток стока в импульсном режиме
184А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g