0 0 0
  7. NTJD4105CT1G

Транзисторы многоканальные NTJD4105CT1G

 
NTJD4105CT1G
 
ONSEMI
Артикул: 896286
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
18.11 грн
25+
12.57 грн
100+
10.15 грн
114+
8.73 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
20/-8В(1636458)
Ток стока
0,63/-0,755А(1702226)
Сопротивление в открытом состоянии
445/900мОм(1636461)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,27Вт(1741779)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3/4нC(1636462)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g
 
Транзисторы многоканальные NTJD4105CT1G
ONSEMI
Артикул: 896286
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
18.11 грн
25+
12.57 грн
100+
10.15 грн
114+
8.73 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
20/-8В
Ток стока
0,63/-0,755А
Сопротивление в открытом состоянии
445/900мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,27Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
3/4нC
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g