0 0 0
  7. NTJD4105CT2G

Транзисторы многоканальные NTJD4105CT2G

 
NTJD4105CT2G
 
ONSEMI
Артикул: 389899
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
16.25 грн
25+
11.79 грн
100+
10.44 грн
110+
9.03 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
20/-8В(1636458)
Ток стока
0,46/-0,558А(1805609)
Сопротивление в открытом состоянии
375/300мОм(1805261)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,14Вт(1741772)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные NTJD4105CT2G
ONSEMI
Артикул: 389899
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
16.25 грн
25+
11.79 грн
100+
10.44 грн
110+
9.03 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
20/-8В
Ток стока
0,46/-0,558А
Сопротивление в открытом состоянии
375/300мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,14Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g