0 0 0
  7. NTJD4401NT1G

Транзисторы многоканальные NTJD4401NT1G

 
NTJD4401NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 000409
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
21.92 грн
25+
11.74 грн
100+
9.48 грн
117+
8.47 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 2400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,46А(1702228)
Сопротивление в открытом состоянии
445мОм(1636476)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,27Вт(1741779)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,3нC(1512595)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы многоканальные NTJD4401NT1G
ONSEMI
Артикул: 000409
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
21.92 грн
25+
11.74 грн
100+
9.48 грн
117+
8.47 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 2400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,46А
Сопротивление в открытом состоянии
445мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,27Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,3нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g