0 0 0
  7. NTJD5121NT1G

Транзисторы многоканальные NTJD5121NT1G

 
NTJD5121NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 000410
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
10.69 грн
50+
5.52 грн
230+
4.21 грн
630+
3.98 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 1175 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,295А(1759233)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,25Вт(1701903)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,9нC(1759234)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы многоканальные NTJD5121NT1G
ONSEMI
Артикул: 000410
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
10.69 грн
50+
5.52 грн
230+
4.21 грн
630+
3.98 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 1175 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,295А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,9нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g