0 0 0
  1. Главная
  2. Продукция
  3. Полупроводники
  4. Транзисторы
  5. Транзисторы униполярные
  6. Транзисторы многоканальные
  7. NTJD5121NT1G

Транзисторы многоканальные NTJD5121NT1G

 
NTJD5121NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 000410
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
16.66 грн
10+
11.52 грн
100+
7.13 грн
320+
3.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2517 шт.
Срок поставки:  10-21днів
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,295А(1759233)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,25Вт(1701903)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Версия
ESD(1636031)
Заряд затвора
0,9нC(1759234)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы многоканальные NTJD5121NT1G
Транзисторы многоканальные NTJD5121NT1G
ONSEMI
Артикул: 000410
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
16.66 грн
10+
11.52 грн
100+
7.13 грн
320+
3.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2517 шт.
Срок поставки:  10-21днів
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,295А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Версия
ESD
Заряд затвора
0,9нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g