0 0 0
  8. NTR1P02LT1G

Транзисторы с каналом P SMD NTR1P02LT1G

 
NTR1P02LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 140878
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
16.99 грн
25+
7.94 грн
100+
6.35 грн
182+
5.54 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 183 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,3А(1636485)
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3,1нC(1479121)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NTR1P02LT1G
ONSEMI
Артикул: 140878
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
16.99 грн
25+
7.94 грн
100+
6.35 грн
182+
5.54 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 183 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,1нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g